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    WD4000系列晶圓幾何量測系統:全面支持半導體制造工藝量測,保障晶圓質(zhì)量

    更新時(shí)間:2024-06-03      點(diǎn)擊次數:103

    晶圓面型參數厚度、TTV、BOW、Warp、表面粗糙度、膜厚、等是芯片制造工藝必須考慮的幾何形貌參數。其中TTV、BOW、Warp三個(gè)參數反映了半導體晶圓的平面度和厚度均勻性,對于芯片制造過(guò)程中的多個(gè)關(guān)鍵工藝質(zhì)量有直接影響。


    TTV、BOW、WARP對晶圓制造工藝的影響

    ?對化學(xué)機械拋光工藝的影響:拋光不均勻,可能會(huì )導致CMP過(guò)程中的不均勻拋光,從而造成表面粗糙和殘留應力。

    ?對薄膜沉積工藝的影響:凸凹不平的晶圓在沉積過(guò)程中會(huì )導致沉積薄膜厚度的不均勻,影響隨后的光刻和蝕刻過(guò)程中創(chuàng )建電路圖案的精度。

    ?對光刻工藝的影響:影響聚焦;不平整的晶圓,在光刻過(guò)程中,會(huì )導致光刻焦點(diǎn)深度變化,從而影響光刻圖案的質(zhì)量。

    ?對晶圓裝載工藝的影響:在自動(dòng)裝載過(guò)程中,凸凹的晶圓容易損壞。如碳化硅襯底加工過(guò)程中,一般還會(huì )在切割工藝時(shí)留有余量,以便在后續研磨拋光過(guò)程中減小TTV、BOW、Warp的數值。


    TTV、BOW、Warp的區別

    TTV描述晶圓的厚度變化,不量測晶圓的彎曲或翹曲;BOW度量晶圓彎曲程度,主要度量考慮中心點(diǎn)與邊緣的彎曲;Warp更全面,度量整個(gè)晶圓表面的彎曲和翹曲。盡管這三個(gè)參數都與晶圓的幾何特性有關(guān),但量測的關(guān)注點(diǎn)各有不同,對半導體制程和晶圓處理的影響也有所區別。

     

    WD4000系列晶圓幾何量測系統功能及應用方向

    WD4000晶圓幾何量測系統可自動(dòng)測量Wafer厚度、彎曲度、翹曲度、粗糙度、膜厚 、外延厚度等參數。該系統可用于測量不同大小、不同材料、不同厚度晶圓的幾何參數;晶圓材質(zhì)如碳化硅、藍寶石、氮化鎵、硅、玻璃片等。它是以下測量技術(shù)的組合:

    圖片1.jpg

    1.光譜共焦技術(shù)測量Wafer Thickness 、TTV 、LTV 、BOW 、WARP 、TIR 、SORI 等參數,同時(shí)生成Mapping圖; 

    2.三維輪廓測量技術(shù):對Wafer表面進(jìn)行光學(xué)掃描同時(shí)建立表面3D層析圖像,高效分析晶圓表面形貌、粗糙度、測量鐳射槽深寬等形貌參數;

    3.白光干涉光譜分析儀,可通過(guò)數值七點(diǎn)相移算法計算,以亞納米分辨率測量晶圓表面的局部高度,并實(shí)現膜厚測量功能;

    4.紅外傳感器發(fā)出的探測光在 Wafer不同表面反射并形成干涉,由此計算出兩表面間的距離(即厚度),適用于測量外延片、鍵合晶圓幾何參數。

    5.CCD定位巡航功能,具備Mark定位,及圖案晶圓避障功能。


    WD4000無(wú)圖晶圓幾何量測系統已廣泛應用于襯底制造、外延制造、晶圓制造、晶圓減薄設備、晶圓拋光設備、及封裝減薄工藝段的量測;覆蓋半導體前道、中道、后道整條工藝線(xiàn)。該系統不僅廣泛應用于半導體行業(yè),在3C電子玻璃屏、光學(xué)加工、顯示面板、光伏、等超精密加工行業(yè)也大幅鋪開(kāi)應用。


    量測系統自動(dòng)上下料,自動(dòng)測量

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